안녕 가아끔 정보글 쓰는 정보게이야


오늘은 중국[짱개시발새끼]의 반도체굴기 손아귀에서 벗어나기위해


지금도 열심히 달리고 있는 삼성 D램반도체 부분을 알아볼까해


이번에 3나노급 공정의 생산수율가능성이 확보 되었거든 ^^ [짱개 굿바이]


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삼성전자 경기도 화성사업장에 위치한 반도체 EUV 생산라인 건설현장이야


이로써 삼성은 드디어 7나노->5나노->3나노로 이어지는 반도체 생산력이


확보 되었어




사실 이전까지 반도체는 14나노의 벽에서 한계의 벽을 맞이했어


현재 인텔또한 14나노이하 공정에서 생산수율을 뽑아내지 못해


쩔쩔 매고 있지




이는 기존 반도체 생산시 사용된 


불화아르곤과 불화크립톤 광원 자체가 248nm, 193nm로


현재 삼성이 앞으로 사용할 EUV의 13.5nm보다 10배이상 길기때문에


생기는 한계점이야







20나노대 부터 한계를 보여온 이 불화아르곤과 불화크립톤 사용은


인텔, 삼성 등에 의해 두번, 세번 몇번을 덧칠하는 방식으로 보완해


겨우겨우 10나노대까지 끌고 왔어





하지만 결국 인텔은 GG를 치게 되고


현재 10나노 이하급 싱글(한자리)나노공정을 개발하기 위해선


기존에 쓰는 이 불화아르곤과 불화크립톤 방식을 버리고


새로운 모험을 해야하는 상황이 온거야






결국 선두업체들이 발목을 잡혀 고인물이 되는 사이 중국 짱개들이


아에 이 불화아르곤을 사용하는 반도체장비까지 만들게되는 상황까지


온거야




결국 삼성이 6년 전부터 ASML회사에 헬프를 치기 시작해


이 EUV 노광장비는 가끔 시스템 반도체쪽에서나 쓰이는


아주 특이한 장비거든, 처음 ASML회사쪽에서는  


시스템반도체도 아닌 메모리반도체를 만드는 삼성이 나를?


이러면서 의아해 했어







하지만 이미 메모리반도체쪽 끝판왕격인 삼성은 현 장비들로는


더이상 공정 세밀화를 따라가지 못한다고 판단(2012년 6년전에;;)한


결과 삼성의 적극적인 구애로 ASML사 지분도 인수하고


시스템반도체쪽에만 개발투자를하던 ASML사의 개발방식을


메모리반도체쪽과 동시에 하도록 바꿔놨지




현재 EUV 장비는 이 ASML사만이 만들 수 있어


그리고 아까 위에 보았던 기계는 일년에 20대만이 생산가능해


그중 10대이상을 삼성이 가져가고 있어(한대에 1500억...)


하이닉스나 대만기업도 원하고 있지만 삼성을 우선으로 주는거지

(삼성의 미래를 보는 안목 ㅆㅅㅌㅊ)






이 EUV노광장비는 몇가지 단점이 있는데


마스크(도면투과) 문제나 하루에 생산가능한 웨이퍼수(약 2500장), 수율 등


하지만 삼성이 이 문제를 모두 해결함으로써




결국 인텔도 마지못해 2021년 이 EUV 노광장비를 도입하기로 했어


삼성은 곧 있으면 7나노 파운드리 생산까지 하게되는데


잘못하면 AMD가 삼성을 통해 7나노 CPU생산까지 가능하게되거든;;






또한 현재 5나노부턴 더이상 실리콘으로 반도체생산이 불가능할 전망으로보여


그래핀을 재료로 써야하는데, 문제가 그래핀은 금속성 성질을 띄어


전기가 계속통하는 도체의 성향을 띄고 있어





하지만 이미 그래핀을 반도체화하는 방법을 이미 개발한터라


앞으로 2~3년안에 그래핀으로 만든 3나노 D램을 볼 수 있을거같아






올해도 6조원을 쏟아부우며 투자하는 삼성전자


내년 하반기부터 화성캠퍼스에서 7나노 D램 양산을 시작한다네











3줄요약


1. 기존 10나노 이상급의 반도체 생산이 고인물이 돼 짱개들이 거의 다따라옴


2. 삼성은 6년전부터 EUV장비 도입과 양산을 ASML사와 협력해옴


3. 다들 10나노 이하는 불가능하다 개소리 시전할때 삼성은 내년 7나노 양산 ^오^ 개꿀


4. 짱개 다 망했으면...